碳化硅功率器件時代來臨,基本半導體亮相PCIM Asia

發表時間:2017-07-06 00:00

6月27-29日,致力于碳化硅功率器件技術創新的深圳基本半導體有限公司(以下簡稱基本半導體)成功參展2017國際電力電子元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia)。這是基本半導體首次亮相PCIM Asia,同期展出了自主研發的碳化硅功率器件產品,倍受行業人士關注。

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碳化硅器件具有低損耗、高頻率等性能優勢,特別適用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器、UPS電源、智能電網、航空航天等應用領域,具有極大的發展潛力及廣闊的市場空間,其創新技術和研究成果是今年PCIM Asia的關注熱點。

基本半導體由瑞典碳化硅領軍企業Ascatron AB和國內IGBT驅動領域領先品牌青銅劍科技聯合創立,整合海外先進技術和國內市場資源,推動碳化硅器件在國內的產業化。

基本半導體的碳化硅JBS二極管采用先進刻蝕結合二次碳化硅外延技術,形成嵌入式的P型摻雜區,該技術可使器件具有低導通壓降和低反向漏電流的特點。同時,基本半導體先進碳化硅外延技術有利于簡化器件設計要求,可廣泛應用于多個電壓電流等級以及各器件類型。

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目前基本半導體已成功開發出了1200V、1700V電壓等級的標準及高溫系列碳化硅JBS二極管,該系列產品具有反向漏電流極低(25℃反向漏電流小于1μA,175℃反向漏電流小于5μA)、抗浪涌電流能力強、總存儲電荷低的特點,可極大降低開關損耗,有利于提高系統效率和功率密度,滿足各行業應用需求。

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基本半導體碳化硅JBS產品列表

基本半導體在展會展出的基于6英寸晶圓的1200V/20A JBS碳化硅二極管各項指標已達到國際領先水平;1200V平面柵碳化硅MOSFET 5A、10A、20A已完成樣品評估,溝槽柵MOSFET已完成工藝設計,樣品即將完成;另外10kV/2A SiC PiN二極管已實現量產。

基本半導體始終專注技術創新,以客戶需求為導向,不斷開發性能優越的碳化硅功率器件,助力半導體行業快速發展。


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