基本半導體首秀2017年國際寬帶隙材料電力電子應用研討會

發表時間:2017-06-09 00:00

日前,2017年國際寬帶隙材料電力電子應用研討會(IWBGPEAW )在瑞典成功舉行。

由中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、深圳基本半導體有限公司等企業和機構組成的中國代表團首次受邀出席,與來自亞洲、北美、歐洲等地區20個國家的知名企業和研究機構專家同臺競技,堪稱電力電子領域的行業盛會。

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圖:中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山做主題演講


中國是全球重要的電力電子器件市場,此次代表團出訪受到活動主辦方的極大重視,中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山為大會做首場主題演講,為與會嘉賓介紹了寬禁帶功率電子在中國的發展現狀和市場機遇,讓國外同行對中國產業狀況有了比較全面的了解。

作為中國代表團成員之一的基本半導體是碳化硅功率器件的創新品牌,由電力電子驅動應用的領軍企業青銅劍科技,與瑞典國家研究所旗下的高科技公司ASCATRON AB公司合資設立,聯合深圳清華大學研究院一起共建“第三代半導體材料與器件研發中心”,專門從事碳化硅SiC)功率器件的研發與產業化。

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圖:ASCATRON AB 和基本半導體首席技術官Adolf Schoner博士做主題演講


在論壇演講環節,ASCATRON AB 和基本半導體首席技術官Adolf Schoner博士介紹ASCATRON擁有20多年的碳化硅研發經驗,公司推出的碳化硅材料和器件產品,可應用于石油鉆井、醫療、航空、船舶、風力發電、電動汽車等工業領域,同時特別介紹了公司的先進碳化硅外延技術,該技術革命性的創立了一套適用于各個電流電壓等級甚至各種器件形式的通用模塊,簡化器件設計要求,而且天然具有極低的反向漏電及高溫應用特性。

憑借ASCATRON深厚的技術實力,基本半導體得以站在巨人的肩膀上,將其領先技術引進到國內,對碳化硅(SiC)器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等各方面進行研發,覆蓋產業鏈各個環節,全面服務中國市場?;景雽w總經理和巍巍博士,以及副總經理張振中博士均出席了大會,與行業人士進行了深入交流。

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圖:中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山(右二),基本半導體首席技術官Adolf Schoner博士(左二)、總經理和巍巍博士(左三)、副總經理張振中博士(左一),以及中科院973(青年)首席科學家張峰親切合影。


據介紹,基本半導體碳化硅功率器件預計將于年底正式投向市場。公司擁有各電流電壓等級的JBS二極管,平面,溝槽MOSFET,10KV以上PIN二極管等多種碳化硅器件的研發能力,其中在JBS二極管上已推出標準應用和高溫應用系列產品,滿足各行業應用需求。

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圖:基本半導體碳化硅JBS器件產品列表


基本半導體碳化硅JBS器件系列產品性能優越,有著業內最低的反向漏電水平,高溫應用尤為出色,正向導通電壓低,浪涌能力強,其他各項性能指標也均達到國際頂尖水平。

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圖:基本半導體碳化硅JBS器件產品性能優越


除ASCATRON和基本半導體以外,世界上最有代表性的碳化硅及氮化鎵器件各大生產公司均有參會,如英飛凌、ROHM、CREE、意法半導體等,眾多系統應用商如龐巴迪、ABB、阿爾斯通等也紛紛列席會議,另外還有Yole Developpement、PowerAmerica Institute、日本AIST等相關產業研究機構的技術專家作了報告,一一分享了各家最新的寬禁帶功率半導體器件技術產品、在電力電子應用中的最新成果及行業分析報告,涵蓋碳化硅SiC、氮化鎵功率器件的設計、封裝、系統應用和驅動設計等相關內容。

各國技術專家誠意滿滿的專業分享,讓參會人員紛紛表示不虛此行,部分參展企業現場進行商務對接,商談合作事宜。對中國代表團來說這也是一次收獲之旅,與全球頂尖的電力電子器件企業和研究機構交流與合作,進一步加強產學研合作以及跨界應用的開放協同創新,必將推動我國第三代半導體材料及器件研發和相關產業發展,重構全球半導體產業格局。



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