基本半導體參加第十一屆中國半導體行業協會分立器件年會暨2017中國半導體器件創新產品與應用及產業發展論壇

發表時間:2017-08-04 00:00

   7月25至27日,第十一屆中國半導體行業協會分立器件年會暨2017中國半導體器件創新產品與應用及產業發展論壇在西安順利舉行,深圳基本半導體有限公司作為支持單位參與了本次論壇。

活動由中國半導體行業協會主辦,邀請全國幾十所高校、科研院所及企業的數百名行業人士參與,基本涵蓋產、學、研、用的眾多機構和企業代表。通過主題演講和學術報告的形式,嘉賓們分享并探討碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、石墨烯等各類半導體新材料、功率器件、封裝工藝的最新技術和研究成果。碳化硅是目前非常熱門的第三代半導體材料,在本次活動上相關主題分享達到十多場,其火爆程度可見一斑。

基本半導體此次攜最新研發的碳化硅功率器件亮相高峰論壇,其中包括各電流電壓等級的碳化硅JBS二極管、1200V MOSFET、10kV PiN二極管等產品,吸引眾多行業人士駐足交流。基本半導體1200V、1700V JBS二極管采用特有的嵌入式結構,反向漏電流比傳統結構低3個數量級,更利于高溫(250℃)環境下工作,抗浪涌電流能力強。

公司推出的MOSFET采用高質量柵氧工藝,導通電阻闕值電壓與國際同類產品參數相當;10kV PiN二極管憑借自身高質量外延技術,良率達到75%以上,公司自主設計開發了對應的高壓封裝結構,產品性能達到國際領先水平。

碳化硅器件可廣泛應用于新能源發電、新能源汽車、家用電器、節能環保、軌道交通、醫療設備、智能電網、國防軍工等領域。2016年美國福特電動汽車搭載碳化硅MOSFET器件,在城市和高速上實測相比硅IGBT損耗降低超過77%;美國新一代航空母艦中,變壓器由傳統的磁結構改為碳化硅器件的電力電子變壓器,重量從6噸減少到1.7噸,體積從10立方米減少到2.7立方米,碳化硅器件性能優越優勢顯著。

我國在第三代半導體材料研究上一直緊跟世界前沿,是世界上為數不多的碳化硅材料襯底、外延產業化的國家,但是在碳化硅器件設計和制造工藝方面整體實力較弱。

基本半導體引進國外領先技術,對碳化硅器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等各方面進行研發和產業化,全方位覆蓋產業鏈各個環節,依靠技術創新推動碳化硅器件的國產化進程。

有國家政策扶持和市場強勁需求雙重利好加身,中國碳化硅行業蓄勢待發,迎來產業化發展的春天。



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