2016年寬禁帶半導體電力電子技術國際研討會在西安召開

發表時間:2016-05-23 00:00

  5月21日至22日,由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(以下簡稱“CASA”)、西安交通大學和中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟主辦,西安電子科技大學、中國有色金屬學會寬禁帶半導體分會、中國電子學會電子材料分會、中國電工技術學會協辦,西安交通大學電力系統電氣絕緣國家重點實驗室承辦的2016年寬禁帶半導體電力電子技術國際研討會在西安交通大學圓滿召開。此次研討會是寬禁帶半導體電力電子領域國內首次舉辦的高端論壇,大會邀請了美國、歐洲、日本及國內的20余位相關專家教授做報告,內容涉及寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶半導體電力電子器件和寬禁帶半導體材料生長等方面。
  科學部高新技術發展及產業司新材料處副處長孟徽,項目主管王冬雨,CASA理事長吳玲,副秘書長于坤山,西安交通大學副校長榮命哲教授等特邀嘉賓,與來自國內外知名高校、科研機構、企業的代表共同參加了此次研討會。西安交通大學教授張安平主持了研討會,西安交通大學副校長榮命哲、CASA理事長吳玲分別為會議致辭。
  全球能源互聯網研究院書記、副院長邱宇峰,美國田納西大學教授Fred Wang,美國弗吉尼亞理工大學助理教授Qiang Li,美國佛吉尼亞理工大學教授陸國權,美國橡樹嶺國家實驗室Zhenxian Liang博士,美國普度大學教授James Cooper,日本產業技術綜合研究所 Tetsuo Hatakeyama博士,日本豐田公司Hiroki Miyake博士、Katsunori Danno博士,日本東洋炭素Makoto Kitabatake博士,日本電裝公司Jun Kojima博士,日本羅姆公司的Hirokazu Asahara博士,香港科技大學陳敬教授、劉紀美教授,西安交通大學張安平教授、楊旭教授、王來利教授,西安電子科技大學郝躍院士、張進成教授,中科院蘇州納米所徐科教授,中科院電工所李建華教授、寧圃奇教授,中車西安永電公司張紅衛教授,臺達電子邢雷鐘博士,瑞典林雪平大學Peder Bergman教授,臺達電力電子中心研發經理張偉強,浙江大學盛況教授,山東大學徐現剛教授等來自國內外知名高校、科研機構、企業的200多位代表參加了此次研討會。

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  本次研討會分為四個板塊:寬禁帶半導體電力電子技術應用;寬禁帶半導體電力電子封裝技術;寬禁帶半導體電力電子器件;寬禁帶半導體材料生長。
   寬禁帶半導體電力電子技術應用主要圍繞新一代電力電子系統對寬禁帶功率半導體器件的需求、寬禁帶功率半導體器件在電力電子技術中的應用前景。邱宇峰教授介紹了能源互聯網的概念,并從新一代電力電子系統的角度出發,講述了電力電子系統對下一代功率半導體器件的迫切需求。美國田納西大學Fred Wang教授介紹了寬禁帶電力電子技術的概念及應用,講解了寬禁帶電力電子技術與Si基電力電子技術的異同點,并指出寬禁帶電力電子技術帶來的機遇和挑戰。Qiang Li教授、Hiroki博士、楊旭教授和張偉強博士分別介紹了寬禁帶GaN器件和SiC器件在數據中心、逆變器系統、DC-DC轉換器及功率變換器的實際應用及其相對于Si基器件應用的優點。
   寬禁帶半導體電力電子封裝技術主要針對寬禁帶半導體器件在實際應用中的封裝問題。李耀華教授講解了電力電子變壓器所面臨的機遇和挑戰,并介紹電工研究所在新型電力電子變壓器上所做的各項工作。陸國權教授介紹了一種新型的納米銀低溫燒結粘片技術,并指出該項技術所具有的高性能高溫封裝的特點,適用于寬禁帶半導體電力電子器件封裝。寧圃奇教授介紹了針對SiC電力電子器件高溫工作特點的封裝技術,張紅衛教授介紹了目前高壓封裝技術的研究、應用現狀及面臨的挑戰,王來利教授介紹了各類無源器件的封裝技術及其集成技術。
   寬禁帶半導體電力電子器件主要介紹SiC電力電子器件和GaN電力電子器件物理機理和研究進展。James Cooper教授講解了SiC基功率半導體器件的器件物理、工作原理以及器件結構,并簡要介紹了SiC電力電子器件的研究重點和難點以及普渡大學在SiC功率器件領域所做的工作。陳敬教授介紹了GaN功率器件的基本結構和原理,并介紹了香港科技大學在GaN功率器件領域的研究現狀。張進成教授介紹了新型的AlGaN基功率開關器件,并指出AlGaN基功率開關器件的優點及應用。張安平教授回顧了SiC基MOSFET、IGBT及晶閘管的研究進展,指出目前正是SiC基電力電子器件研究的關鍵時期。Tetsuo博士講解了SiC MOS結構的物理機理,并提出新的研究界面態密度的方法。Hirokazu博士介紹了SiC基功率器件和模塊的發展,并介紹Rohm公司在該領域的研究及商業化進展情況。
   寬禁帶半導體材料生長主要介紹了SiC襯底技術的發展以及GaN襯底的發展趨勢。中科院蘇州納米所徐科教授介紹了GaN襯底的最近研究進展,目前已有4英寸GaN襯底,但是其質量還有待提高,成本有待降低。GaN襯底是目前制約GaN電力電子器件發展的關鍵因素。劉紀美教授介紹了MOCVD應用于Ⅲ-氮化物器件的外延生長的目標以及挑戰。日本東洋碳素的Makoto Kitabatake博士介紹了SiC外延片中的各類缺陷及不同缺陷的檢測方法,并研究了表面缺陷與電學性能的關聯關系。日本Denso公司的Jun Kojima博士介紹了HTCVD方法生長SiC襯底的有事及最新進展,其4英寸碳化硅晶錠可達到43mm,并且在生長過程中不會引入缺陷。日本Toyata Motor公司的Katsunori Danno博士介紹了溶液法制備高質量4H-SiC襯底的最新進展,目前已生長出1英寸的30mm長以及2inch的10mm長的SiC晶錠。與其它生長方法相比,溶液法可生長出無位錯缺陷的SiC襯底,可大大提高SiC襯底片的晶體質量,從而提高SiC器件的性能。

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   此次研討會的高規格內容及豪華陣容吸引了國內外眾多寬禁帶半導體領域的知名高校、科研院所、企業的代表們的高度參與,增加了此次研討會影響的深度與廣度,在促進國內外寬禁帶半導體研究交流的同時,也為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業人士提供了難得的交流和學習機會。大家一致表示此次大會內容充實,指向性強,是非常成功的一次大會。

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