基本半導體參加電氣化交通前沿技術論壇

發表時間:2017-07-13 00:00

  7月7日至8日,致力于碳化硅功率器件技術創新的深圳基本半導體有限公司受邀參加電氣化交通前沿技術論壇。本次活動由清華大學、英國諾丁漢大學、中車株洲電力機車研究所聯合主辦,邀請眾多專家學者和企業代表共同探討電氣化交通的關鍵技術與發展方向。

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電氣化交通前沿技術論壇與會嘉賓合影


電氣化交通具有綠色清潔、節能環保、可靠性高、經濟性好等優勢,是解決能源短缺和環境污染問題的重要方向和手段,具有廣闊的科研和產業發展空間。論壇期間,與會專家圍繞電氣工程應用的軌道交通、電動汽車、船舶電力、新型電力電子器件、儲能、智能電網和能源互聯網技術等多個主題進行深入探討。如何實現電氣化交通的“高效、高功率密度、高可靠性、高性能、低成本”共性問題,也成為此次論壇關注的焦點。

基本半導體副總經理張振中博士從電力電子器件行業角度提出了解決辦法,他表示為滿足電氣化交通工具的高性能需求,大力發展碳化硅功率器件產業趨勢已成為行業共識。

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基本半導體副總經理張振中博士作主題演講


碳化硅材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優點,通過采用耐高壓、高頻、高溫的碳化硅功率器件,電力電子設備的功率密度可以大幅提升,能夠減小50%的損耗、40%的體積和30%的重量,非常適合應用于新一代的電氣化交通工具。

專注于碳化硅功率器件技術創新和產業化的基本半導體,由國內IGBT驅動領軍品牌青銅劍科技與有20多年碳化硅研發歷史的瑞典企業ASCATRON AB共同創辦。基本半導體通過整合海內外優勢資源,目前在碳化硅功率器件領域已有了突破性進展:基于6英寸晶圓的1200V/20A JBS碳化硅二極管各項指標已達到國際領先水平;1200V平面柵碳化硅MOSFET 5A、10A、20A已完成樣品評估,溝槽柵MOSFET已完成工藝設計,樣品即將完成;10kV/2A SiC PiN二極管已實現量產。

正如清華大學副校長薛其坤院士在論壇開幕式指出,發展電氣化交通對推進能源生產與消費革命具有重要意義。基本半導體將竭力發揮自身所長,加快推動碳化硅功率器件研發及產業化,為電氣化交通和能源領域的科技創新做出應有的貢獻。


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